IPD047N03LF2SATMA1-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:100A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3.8mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備100A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為3.8毫歐。低導通電阻顯著降低導通狀態下的功率損耗，提升整體能效，適用于高電流、高效率要求的電源轉換、電池管理系統及大功率電子負載等場景。其電氣特性支持在高頻開關條件下保持穩定工作，適合對熱性能和空間布局有嚴苛要求的電路設計。
