TSM085NB03CV RGG_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:55A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.7mR 參數(shù)4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道MOSFET具備55A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻低至4.7毫歐，柵源電壓額定值為20V。其低RDS(ON)有助于顯著降低導通損耗，在高電流應用中維持較低溫升。適用于高效率開關電源、多相穩(wěn)壓模塊、計算設備主板供電以及便攜式電子產(chǎn)品的電源管理單元，能夠在高頻或持續(xù)大電流工況下提供穩(wěn)定可靠的性能表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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