SI7634BDP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.7mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具有80A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，在導(dǎo)通狀態(tài)下其導(dǎo)通電阻低至4.7毫歐，柵源驅(qū)動(dòng)電壓最高可達(dá)20V。器件采用標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，適用于對(duì)效率和熱性能要求較高的功率開關(guān)場(chǎng)景，如電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及各類高頻轉(zhuǎn)換電路。其低導(dǎo)通電阻有助于減少導(dǎo)通損耗，提升整體能效，同時(shí)高電流承載能力確保在大負(fù)載條件下仍能穩(wěn)定工作。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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