SISA18BDN-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:40A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有40A的連續(xù)漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）以及5毫歐的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）。其低導(dǎo)通電阻有助于有效降低導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，提升系統(tǒng)整體效率。30V的耐壓水平適用于多種中低壓電源架構(gòu)，在開關(guān)電源、電池供電設(shè)備、電機(jī)控制及高效能電子負(fù)載等應(yīng)用中，能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定可靠的開關(guān)性能和良好的熱表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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