SIS444DN-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:100A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:2.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備100A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為2.5毫歐。低導通電阻有效降低導通狀態下的功率損耗，提升整體能效。器件適用于高電流、低電壓的電源轉換場合，如服務器電源、通信設備供電系統及便攜式高功率電子裝置，在高頻開關和大電流負載條件下仍能保持良好的熱穩定性和電氣性能。
