PJQ4408P_R2_00001_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:45A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:6mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道MOSFET具備45A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻為6毫歐，柵源電壓額定值達20V。其低導(dǎo)通電阻有助于顯著降低導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，提升系統(tǒng)整體效率。適用于高效率電源管理、電機驅(qū)動、同步整流及各類中高電流開關(guān)應(yīng)用。器件在高頻開關(guān)條件下仍能保持良好的動態(tài)特性，同時具備穩(wěn)定的線性區(qū)工作能力，便于實現(xiàn)精確的電流控制與調(diào)節(jié)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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