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NTMFS5C450NT3G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:ID:130A 參數2:VDSS:40V 參數3:RDON:2.8mR 參數4:TYPE:N-ch 標價:歡迎咨詢

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該N溝道MOSFET具備130A的連續漏極電流(ID)和40V的漏源電壓(VDSS),導通電阻(RDS(ON))僅為2.8毫歐。低導通電阻有效降低導通損耗,在高電流工作條件下仍能維持較高的能效水平。適用于對功率密度和熱管理有較高要求的電源系統,如服務器電源、通信設備供電模塊及高性能計算平臺中的同步整流與負載開關等場合。

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