TSM060N03PQ33 RGG_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:40A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具有40A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻低至5毫歐。器件適用于高效率電源轉(zhuǎn)換和功率管理場(chǎng)景，其低RDS(ON)有助于減少導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)整體能效。由于具備較高的電流承載能力和較低的熱阻特性，可穩(wěn)定運(yùn)行于頻繁開(kāi)關(guān)或持續(xù)大電流的工作條件中，適合用于各類(lèi)緊湊型電源模塊、便攜設(shè)備供電系統(tǒng)及高性能計(jì)算平臺(tái)的供電單元。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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