NTD4808NT4G-HXY_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:60A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有60A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）低至7毫歐。器件適用于對導(dǎo)通損耗敏感的高效率電源轉(zhuǎn)換場景，其低阻抗特性有助于減少發(fā)熱并提升系統(tǒng)整體能效。由于具備較高的電流承載能力與較低的導(dǎo)通壓降，該MOSFET可有效支持各類中低壓功率開關(guān)應(yīng)用，在注重體積與熱管理的設(shè)計中表現(xiàn)出良好適配性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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