NVD4808NT4G_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:60A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具備60A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻為7毫歐。其低導(dǎo)通電阻有助于顯著降低導(dǎo)通損耗，在高電流工作條件下維持較低的溫升。適用于對(duì)效率和熱管理要求較高的電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及高頻開關(guān)電路等場(chǎng)景，能夠在緊湊設(shè)計(jì)中提供穩(wěn)定的電氣性能和可靠的運(yùn)行表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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