SI7440DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5.7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備60A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻低至5.7毫歐。其低導通電阻有助于減少導通損耗，提升系統效率，在高電流應用場景中表現出良好的熱穩定性與電氣性能。適用于對功率密度和能效有較高要求的電源管理、電機驅動及各類開關電路中，能夠可靠支持頻繁開關操作與大電流傳輸需求。
