IPD50R1K4CEBTMA1-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:5A 參數2：VDSS:500V 參數3：RDON:1300mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備500V的漏源擊穿電壓（VDSS）、5A的連續漏極電流（ID）以及1300毫歐的導通電阻（RDS(on)）。其電氣參數適合在中等功率、較高電壓的開關應用中使用。由于采用N溝道結構，器件在正柵壓驅動下可實現有效導通，常用于電源適配器、LED驅動、小型電機控制及各類消費類電子設備中的功率開關與調節電路。
