CSD17581Q3A_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:2.9mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備120A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為2.9毫歐。低導通電阻有效降低導通狀態下的功率損耗，提升整體能效，適用于高電流、高效率要求的電源轉換、電機控制及高頻開關應用。其電氣參數適合在緊湊布局中實現優異的熱性能與穩定性，滿足對大電流承載能力和快速開關響應的需求。
