PXN010-30QLJ-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:30A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:9mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有30A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至9mΩ。其低導通電阻有助于減少導通損耗，提升整體效率，適用于對功率密度和熱性能有較高要求的電源管理、電池供電設備及各類高效能電子系統中。器件結構優化了開關特性，在高頻操作下仍能保持穩定性能，適合需要快速響應與高可靠性的電路設計。
