RQ3E160ADTB1-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:70A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有70A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至3.5毫歐。憑借極低的導通損耗，該器件適用于高效率、大電流的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如開關(guān)電源、電池供電設(shè)備及電機驅(qū)動等場景。其優(yōu)異的導通特性和高電流承載能力有助于提升系統(tǒng)整體能效，并在高頻開關(guān)應用中保持穩(wěn)定性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
