TK55D10J1(Q)_TO-220C_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:70A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:8.5mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具備70A的連續(xù)漏極電流能力，漏源電壓額定值為100V，導(dǎo)通電阻低至8.5毫歐，在柵源電壓最高達(dá)20V的驅(qū)動(dòng)條件下可穩(wěn)定工作。其低RDS(ON)特性有助于減少導(dǎo)通損耗，適用于高效率電源管理、電機(jī)控制及高頻開關(guān)電路等場(chǎng)景，能夠在大電流和較高電壓環(huán)境下維持良好的熱性能與可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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