BSC886N03LSGATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道MOSFET具有80A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至4.7毫歐，在柵源電壓（VGS）為20V時可實現高效導通。器件適用于對功率密度和效率有較高要求的電源轉換與開關應用，其低導通電阻有助于減少導通損耗，提升系統整體能效。由于具備較高的電流承載能力與較低的熱阻特性，可在緊湊布局中穩定運行，適合用于各類高頻率、高效率的電子電路設計。
