NTD4959NHT4G-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:60A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有30V的漏源擊穿電壓（VDSS），連續(xù)漏極電流（ID）可達60A，導通電阻（RDS(ON)）典型值為7毫歐。其極低的導通電阻有助于顯著降低導通損耗，在高電流工作條件下仍能維持良好的熱性能。適用于高效電源轉(zhuǎn)換、大功率負載開關以及對能效和緊湊布局有較高要求的電子系統(tǒng)中，能夠支持穩(wěn)定的高頻開關操作。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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