MCAC50N03Y-TP_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.3mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備60A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）典型值為4.3毫歐，柵源驅動電壓（VGS）最高可達20V。低導通電阻有效降低導通狀態下的功率損耗，提升系統效率。器件適用于高頻開關電源、電池管理系統及各類高效率功率轉換電路，在需要大電流承載與快速開關響應的電子設備中表現穩定可靠。
