AM7334N-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:45A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:6mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有45A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）、6毫歐的導通電阻（RDS(ON)），以及20V的最大柵源電壓（VGS）。其低導通電阻有助于減小導通損耗，提升系統效率，適用于高電流開關場景。器件可廣泛用于電源管理、電機控制及各類高效電子設備中的功率開關環節，在緊湊設計中仍能保持良好的熱穩定性和電氣性能。
