CSD17551Q3A-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:35A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備35A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為7.5毫歐。其低導通電阻有助于在高電流工作條件下顯著降低導通損耗，提升整體能效。適用于電源管理、電機控制、電池供電設備及各類開關模式電源等應用場合。N溝道結構便于實現高效的開關操作，在緊湊型電路設計中可有效支持熱性能與功率密度的優化。
