BSC097N06NSATMA1_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:65A 參數(shù)2：VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:8mR 參數(shù)4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有65A的連續(xù)漏極電流（ID）和60V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為8毫歐，柵源驅(qū)動電壓（VGS）最高可達20V。其低導通電阻有助于在大電流工作條件下有效抑制功率損耗與溫升，適用于高效率電源管理、電機控制及高頻開關(guān)應(yīng)用。器件結(jié)構(gòu)支持穩(wěn)定可靠的開關(guān)性能，適合對能效和熱管理有較高要求的電子系統(tǒng)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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