NTMS4916NR2G-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:18A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道MOSFET具有30V的漏源擊穿電壓（VDSS）和18A的連續漏極電流（ID），在導通狀態下其導通電阻（RDS(ON)）低至5毫歐，柵源驅動電壓（VGS）最高可達±20V。器件適用于對效率和熱性能要求較高的開關應用場景，其低導通電阻有助于減少導通損耗，提升系統整體能效。由于具備較高的電流承載能力和穩定的電氣特性，可廣泛用于電源管理、電機驅動及各類電子負載控制等電路中。
