SISA16DN-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:45A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:6mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有45A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）、6毫歐的導通電阻（RDS(ON)）以及20V的最大柵源電壓（VGS）。其較低的導通電阻有助于減小導通損耗，提升系統能效，同時支持中高電流應用場景。該器件適用于對功率密度和熱管理有一定要求的電源轉換、電機驅動及各類高效電子設備中的開關與控制功能，在高頻操作條件下仍可保持穩定的電氣性能。
