NTD4806NT4G-HXY_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET的連續(xù)漏極電流（ID）為80A，漏源擊穿電壓（VDSS）為30V，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）典型值為5毫歐。在高電流工作條件下，低導(dǎo)通電阻有助于顯著降低功率損耗，提升系統(tǒng)效率。器件適用于高頻率開關(guān)電源、直流-直流轉(zhuǎn)換器及各類高效能電子設(shè)備中的功率管理模塊，能夠在緊湊電路布局中實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定可靠的開關(guān)性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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