DMG8880LK3-13-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備80A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為5毫歐。低導通電阻有助于在大電流工作條件下有效降低導通損耗，提升整體能效。器件適用于開關電源、電機驅動、電池保護及高密度功率轉換等應用場合，在高頻開關操作中表現出良好的動態特性和熱穩定性，適合對效率和空間有較高要求的電子系統。
