IPD50R1K4CEAUMA1-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:5A 參數2：VDSS:500V 參數3：RDON:1300mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET器件具有500V的漏源擊穿電壓（VDSS）和5A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(ON)）為1300毫歐。其高耐壓特性適用于中等功率開關場景，能夠在較高電壓條件下穩定工作，同時較低的導通電阻有助于減少導通損耗，提升整體能效。該器件結構適合用于電源管理、適配器、照明驅動及各類消費類電子設備中的開關與功率控制環節，具備良好的熱穩定性和可靠性。
