AOD522P_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:100A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3.8mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備100A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至3.8毫歐。其極低的導通電阻有效減少了在大電流工作狀態下的功率損耗與溫升，適用于高效率電源轉換、電機驅動、電池保護及大電流開關電路等應用場合。器件在高頻開關操作中仍能保持良好的性能穩定性，適合對能效和熱管理有嚴格要求的電子系統。
