AON7566_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:120A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:2.9mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具有120A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻低至2.9毫歐。其低導(dǎo)通電阻有助于減少導(dǎo)通損耗，提升整體效率，適用于對(duì)功率密度和熱性能要求較高的電源管理場(chǎng)景。器件結(jié)構(gòu)支持快速開關(guān)操作，在高頻率工作條件下仍能保持穩(wěn)定性能，適合用于各類高效能電子系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換與控制環(huán)節(jié)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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