DI040N03PT-AQ_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:45A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:6mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具有45A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻低至6毫歐，在柵源電壓高達(dá)20V的條件下穩(wěn)定工作。其低導(dǎo)通電阻有助于減少導(dǎo)通損耗，提升整體效率，適用于對(duì)功率密度和熱性能有較高要求的電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換等應(yīng)用場(chǎng)景。器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化了開(kāi)關(guān)特性，適合高頻操作環(huán)境，同時(shí)具備良好的線性區(qū)控制能力，便于精確調(diào)節(jié)輸出狀態(tài)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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