AON7538_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN3X3-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:ID:60A 參數2:VDSS:30V 參數3:RDON:4mR 參數4:TYPE:N-ch 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備30V的漏源擊穿電壓(VDSS)和60A的最大連續漏極電流(ID),導通電阻(RDS(ON))僅為4毫歐,顯著降低導通損耗。其低阻抗特性使其在高電流開關應用中表現出優異的能效與熱穩定性。適用于需要高效功率處理能力的場合,如電源轉換、電池管理系統及各類高密度功率模塊,能夠支持頻繁開關操作并維持較低溫升。
