CSD17578Q5A_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5.7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有60A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS），以及低至5.7毫歐的導通電阻（RDS(ON)）。其優異的導通特性可有效降低高電流工作時的功率損耗，提升系統效率。適用于開關電源、電機驅動、電池管理系統及各類高效率功率轉換電路。N溝道結構便于實現快速開關操作，在緊湊布局中支持良好的熱性能與電氣性能表現。
