DMN3009LFVW-13_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備70A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為3.5毫歐，顯著降低導通狀態下的功率損耗。其低阻特性使其適用于高效率電源轉換、電池管理系統、電動工具驅動以及高頻開關電路等場合。在大電流運行條件下，器件能維持較低溫升，有助于提升整體系統穩定性與能效表現，同時便于在空間受限的布局中實現高效熱管理。
