FDMS0349-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:50A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:6.5mR 參數(shù)4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道MOSFET具備50A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓（VDSS）為30V，在柵源電壓（VGS）為20V時導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）低至6.5mΩ。其極低的導(dǎo)通電阻顯著降低導(dǎo)通損耗，適合高電流、高效率要求的開關(guān)應(yīng)用。典型用途包括大功率電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)以及高密度電力電子模塊，能夠在緊湊布局中維持良好的熱性能與電氣穩(wěn)定性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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