DMT35M1LFVW-7-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有70A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS），以及低至3.5毫歐的導通電阻（RDS(ON)）。其極低的導通電阻可顯著降低導通狀態下的功率損耗，有助于提升系統整體效率并減少散熱需求。該器件適用于高電流、高效率要求的電源管理場合，如多相降壓轉換器、大功率負載開關及便攜式設備中的電源路徑控制等應用，在高頻開關條件下仍能保持良好的電氣性能與穩定性。
