NTMFS4C810NAT3G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有80A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至4.7毫歐，在柵源電壓（VGS）為20V時可實現高效導通。其低導通電阻有助于減少功率損耗，適用于對效率和熱性能要求較高的電源管理、電機驅動及高電流開關等應用場景。器件采用標準封裝，便于在緊湊型電路中集成，同時確保在高負載條件下的穩定運行。
