DMT3009UFVW-7-HXY_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:30A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:9mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具備30A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為9毫歐。其低導(dǎo)通電阻有助于降低導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，提升系統(tǒng)效率。適用于中低電壓應(yīng)用場(chǎng)景中的開(kāi)關(guān)與功率控制功能，例如電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)及便攜式設(shè)備中的高效能管理模塊，能夠滿足對(duì)熱性能和能效有較高要求的設(shè)計(jì)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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