AON7422G_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:DFN3X3-8L 類(lèi)別:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤(pán) 參數(shù)1:ID:60A 參數(shù)2:VDSS:30V 參數(shù)3:RDON:4mR 參數(shù)4:TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)具有60A的連續(xù)漏極電流(ID)和30V的漏源擊穿電壓(VDSS),導(dǎo)通電阻(RDS(ON))低至4毫歐。其低導(dǎo)通電阻有效減小了導(dǎo)通損耗,有助于提升整體能效與熱性能。適用于對(duì)電流承載能力和開(kāi)關(guān)效率要求較高的場(chǎng)合,如電源管理模塊、電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路及高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中的功率控制環(huán)節(jié),能夠支持穩(wěn)定可靠的運(yùn)行表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話(huà):18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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