NTMFS4921NT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5.7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有60A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS），以及低至5.7毫歐的導通電阻（RDS(ON)）。其低導通電阻有效降低了導通狀態下的功率損耗，有助于提升整體能效和熱穩定性。該器件適合用于高效率電源轉換、電池管理系統、電機控制及各類對開關性能和導通損耗敏感的電子設備中，在頻繁開關或大電流運行條件下均能保持良好性能。
