SI4880DY-T1-E3-HXY_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7.5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具備15A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為7.5毫歐。在導(dǎo)通狀態(tài)下，較低的電阻值有助于減少功率損耗與發(fā)熱，提升整體能效。器件適用于對效率和熱性能敏感的電源管理、便攜式電子設(shè)備以及高頻開關(guān)電路等場景，能夠在緊湊布局中維持良好的電氣性能與穩(wěn)定性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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