DMN3010LSS-13-HXY_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：ID:18A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:5mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備18A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為5毫歐，柵源驅(qū)動電壓（VGS）額定值為20V。低導(dǎo)通電阻有助于降低導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，提升系統(tǒng)效率。器件適用于中等功率的開關(guān)電源、負(fù)載開關(guān)及電池供電設(shè)備中的功率路徑控制，其電氣特性支持穩(wěn)定可靠的高頻開關(guān)操作。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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