FDD6670A_NL_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有80A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）以及5毫歐的導通電阻（RDS(ON)）。其低導通電阻有助于降低導通損耗，提升整體能效，適用于高電流開關、電源轉換及同步整流等電路。器件在高頻工作條件下仍能保持良好的熱穩定性和開關特性，適合對效率和空間布局有較高要求的應用場景。
