AON7518_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:35A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7.5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道MOSFET額定漏極電流（ID）為35A，漏源電壓（VDSS）為30V，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為7.5毫歐。器件在中等功率開關(guān)應(yīng)用中具備良好的導(dǎo)通特性和較低的導(dǎo)通損耗，適用于電源管理、電池供電系統(tǒng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器及各類電子負(fù)載控制場合。其低RDS(ON)有助于提升能效并減少發(fā)熱，配合標(biāo)準(zhǔn)邏輯電平驅(qū)動即可實現(xiàn)穩(wěn)定工作，在注重空間與效率的電路設(shè)計中具有實用價值。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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