AON7522E_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:120A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:2.9mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具備30V的漏源擊穿電壓（VDSS），連續(xù)漏極電流（ID）高達(dá)120A，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）僅為2.9毫歐。其極低的導(dǎo)通電阻有效降低了導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，適用于大電流、高效率要求的電源管理場合。典型應(yīng)用包括高性能計算設(shè)備的供電模塊、服務(wù)器電源、電動工具驅(qū)動電路以及高密度DC-DC轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，能夠在緊湊空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的熱性能與電氣穩(wěn)定性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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