SIRA18BDP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:60A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:5.7mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET支持60A的連續(xù)漏極電流，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻僅為5.7毫歐。低導(dǎo)通電阻有效降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)能效，適用于高電流密度的電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制及各類開(kāi)關(guān)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。其電氣特性適合在高頻工作條件下保持穩(wěn)定性能，同時(shí)具備良好的熱穩(wěn)定性和線性區(qū)響應(yīng)能力，便于實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)的功率調(diào)節(jié)與高效能量傳輸。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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