RSS130N03FU6TB_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:18A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:5mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備18A的連續(xù)漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）僅為5mΩ，并支持最高20V的柵源驅(qū)動(dòng)電壓（VGS）。低導(dǎo)通電阻有助于在高效率電源轉(zhuǎn)換和負(fù)載開(kāi)關(guān)等應(yīng)用中顯著降低導(dǎo)通損耗，同時(shí)良好的電壓驅(qū)動(dòng)兼容性使其易于與多種控制電路配合使用。適用于對(duì)體積、溫升及能效有較高要求的便攜式設(shè)備、計(jì)算平臺(tái)及消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中的功率管理模塊。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話(huà)：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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