AO4430L_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:18A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有30V的漏源擊穿電壓（VDSS）和18A的連續漏極電流（ID），在導通狀態下漏源導通電阻（RDS(ON)）低至5毫歐，柵源驅動電壓（VGS）最高可達20V。其低導通電阻有助于減少功率損耗，提升系統效率，適用于對能效和熱性能要求較高的電源管理、電池供電設備及各類電子負載開關場景。器件結構支持快速開關操作，適合高頻應用環境。
