SIHD5N50D-GE3_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:5A 參數(shù)2：VDSS:500V 參數(shù)3：RDON:1300mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具備500V的漏源擊穿電壓（VDSS）、5A的連續(xù)漏極電流（ID）以及1300毫歐的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）。其電氣特性適用于需要較高電壓耐受能力與中等電流處理能力的開(kāi)關(guān)電路。在實(shí)際應(yīng)用中，可用于電源適配器、LED驅(qū)動(dòng)、家用電器控制板及各類(lèi)電子系統(tǒng)中的功率開(kāi)關(guān)或負(fù)載控制環(huán)節(jié)，能夠在保證安全工作區(qū)的同時(shí)維持基本的導(dǎo)通效率。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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