AONR36328_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:35A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7.5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備30V的漏源擊穿電壓（VDSS）和35A的連續(xù)漏極電流（ID），在典型工作條件下導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）低至7.5毫歐。其低導(dǎo)通電阻有效降低導(dǎo)通損耗，適用于高效率、大電流的電源開關(guān)場(chǎng)景。器件結(jié)構(gòu)支持快速開關(guān)特性，適合用于電池供電設(shè)備、便攜式電子產(chǎn)品及各類需要高效能功率轉(zhuǎn)換的電路中，能夠提升系統(tǒng)整體熱性能與能效表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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