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RBR2LAM40ATR-HXY_SMAF_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SMAF 類(lèi)別：肖特基二極管最小包裝：3000/圓盤(pán) 參數(shù)1：IF:2A 參數(shù)2：VR:40V 參數(shù)3：VF:0.55V 參數(shù)4：IR:100uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

該肖特基二極管為獨(dú)立式配置，具有2A的正向電流能力與40V的反向耐壓。其正向?qū)▔航禐?.55V，有助于降低導(dǎo)通損耗；在反向偏置條件下，漏電流為100μA，表現(xiàn)出良好的阻斷性能。由于具備較低的VF和適中的電壓等級(jí)，該器件適用于高頻整流、電源管理模塊以及各類(lèi)便攜式或空間受限的電子設(shè)備中，能夠有效支持高效能電路設(shè)計(jì)。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話(huà)：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

RBR2LAM40ATR-HXY_SMAF_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SMAF 類(lèi)別：肖特基二極管 最小包裝：3000/圓盤(pán) 參數(shù)1：IF:2A 參數(shù)2：VR:40V 參數(shù)3：VF:0.55V 參數(shù)4：IR:100uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SMAF 類(lèi)別：肖特基二極管最小包裝：3000/圓盤(pán) 參數(shù)1：IF:2A 參數(shù)2：VR:40V 參數(shù)3：VF:0.55V 參數(shù)4：IR:100uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)